SIHB20N50E-GE3

BEMERKE: Vishay / Siliconix SIHB20N50E-GE3 er tilgjengelig på chipnets.com. Vi selger kun ny og original del og tilbyr 1 års garantitid. Hvis du ønsker å vite mer om produktene eller bruke mer bedre pris, vennligst kontakt oss klikk på nettchatten eller send et tilbud til oss.

Alle Eelctronics-komponentene vil pakkes inn veldig trygt med antistatisk ESD-beskyttelse.

package

Spesifikasjon

Type	Beskrivelse
Serie	-
Pakke	Bulk
Delstatus	Active
FET Type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Avløp til kildespenning (Vdss)	500 V
Strøm - kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Drivspenning (Maks Rds På, Min Rds På)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitet (Ciss) (maks) @ Vds	1640 pF @ 100 V
FET-funksjon	-
Effektdissipasjon (maks.)	179W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype	Surface Mount
Leverandørens enhetspakke	D²PAK (TO-263)
Pakke / Veske	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KJØPEALTERNATIVER

Lagerstatus: 718

Minimum: 1

Mengde	Enhetspris	Ext. Pris
Pris er ikke tilgjengelig, vennligst forespørsel

Fraktberegning

US $40 av FedEx.

Ankommer om 3-5 dager

Ekspress:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis frakt på de første 0,5 kg for bestillinger over 150$, Overvekt belastes separat

Populære modeller

Denne varen er lagt i handlekurven din.