GeneSiC Semiconductor / GA20JT12-247
Bildet er for referanse, vennligst kontakt oss for å få det virkelige bildet
GA20JT12-247
| Produsentens varenummer: | GA20JT12-247 |
| Produsent: | GeneSiC Semiconductor |
| Del av beskrivelse: | TRANS SJT 1200V 20A TO247AB |
| Dataark: | GA20JT12-247 Dataark |
| Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
| Lagertilstand: | På lager |
| Skip fra: | Hong Kong |
| Forsendelsesmåte: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- BEMERKE
- GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 er tilgjengelig på chipnets.com. Vi selger kun ny og original del og tilbyr 1 års garantitid. Hvis du ønsker å vite mer om produktene eller bruke mer bedre pris, vennligst kontakt oss klikk på nettchatten eller send et tilbud til oss.
Alle Eelctronics-komponentene vil pakkes inn veldig trygt med antistatisk ESD-beskyttelse.
Spesifikasjon
| Type | Beskrivelse |
|---|---|
| Serie | - |
| Pakke | Tube |
| Delstatus | Obsolete |
| FET Type | - |
| Teknologi | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Avløp til kildespenning (Vdss) | 1200 V |
| Strøm - kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Drivspenning (Maks Rds På, Min Rds På) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 20A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (maks) | - |
| Inngangskapasitet (Ciss) (maks) @ Vds | - |
| FET-funksjon | - |
| Effektdissipasjon (maks.) | 282W (Tc) |
| Driftstemperatur | 175°C (TJ) |
| Monteringstype | Through Hole |
| Leverandørens enhetspakke | TO-247AB |
| Pakke / Veske | TO-247-3 |
Lagerstatus: Frakt samme dag
Minimum: 1
| Mengde | Enhetspris | Ext. Pris |
|---|---|---|
Pris er ikke tilgjengelig, vennligst forespørsel |
||
Fraktberegning
US $40 av FedEx.
Ankommer om 3-5 dager
Ekspress:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis frakt på de første 0,5 kg for bestillinger over 150$, Overvekt belastes separat
Populære modeller
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
Lagt til i handlekurven!
Denne varen er lagt i handlekurven din.