TK7J90E,S1E

Produsentens varenummer:	TK7J90E,S1E
Produsent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Del av beskrivelse:	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Dataark:	TK7J90E,S1E Dataark
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand:	På lager
Skip fra:	Hong Kong
Forsendelsesmåte:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

BEMERKE: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK7J90E,S1E er tilgjengelig på chipnets.com. Vi selger kun ny og original del og tilbyr 1 års garantitid. Hvis du ønsker å vite mer om produktene eller bruke mer bedre pris, vennligst kontakt oss klikk på nettchatten eller send et tilbud til oss.

Alle Eelctronics-komponentene vil pakkes inn veldig trygt med antistatisk ESD-beskyttelse.

package

Spesifikasjon

Type	Beskrivelse
Serie	π-MOSVIII
Pakke	Tube
Delstatus	Active
FET Type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Avløp til kildespenning (Vdss)	900 V
Strøm - kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Drivspenning (Maks Rds På, Min Rds På)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitet (Ciss) (maks) @ Vds	1350 pF @ 25 V
FET-funksjon	-
Effektdissipasjon (maks.)	200W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhetspakke	TO-3P(N)
Pakke / Veske	TO-3P-3, SC-65-3

KJØPEALTERNATIVER

Lagerstatus: 12

Minimum: 1

Mengde	Enhetspris	Ext. Pris
Pris er ikke tilgjengelig, vennligst forespørsel

Fraktberegning

US $40 av FedEx.

Ankommer om 3-5 dager

Ekspress:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis frakt på de første 0,5 kg for bestillinger over 150$, Overvekt belastes separat

Populære modeller

	TK7J90E,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Denne varen er lagt i handlekurven din.