ROHM Semiconductor / RUC002N05HZGT116
Bildet er for referanse, vennligst kontakt oss for å få det virkelige bildet
RUC002N05HZGT116
| Produsentens varenummer: | RUC002N05HZGT116 |
| Produsent: | ROHM Semiconductor |
| Del av beskrivelse: | MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 |
| Dataark: | RUC002N05HZGT116 Dataark |
| Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
| Lagertilstand: | På lager |
| Skip fra: | Hong Kong |
| Forsendelsesmåte: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- BEMERKE
- ROHM Semiconductor RUC002N05HZGT116 er tilgjengelig på chipnets.com. Vi selger kun ny og original del og tilbyr 1 års garantitid. Hvis du ønsker å vite mer om produktene eller bruke mer bedre pris, vennligst kontakt oss klikk på nettchatten eller send et tilbud til oss.
Alle Eelctronics-komponentene vil pakkes inn veldig trygt med antistatisk ESD-beskyttelse.
Spesifikasjon
| Type | Beskrivelse |
|---|---|
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Pakke | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Delstatus | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
| Avløp til kildespenning (Vdss) | 50 V |
| Strøm - kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Drivspenning (Maks Rds På, Min Rds På) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (maks) | ±8V |
| Inngangskapasitet (Ciss) (maks) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| FET-funksjon | - |
| Effektdissipasjon (maks.) | 350mW (Ta) |
| Driftstemperatur | 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount |
| Leverandørens enhetspakke | SST3 |
| Pakke / Veske | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lagerstatus: 2478
Minimum: 1
| Mengde | Enhetspris | Ext. Pris |
|---|---|---|
Pris er ikke tilgjengelig, vennligst forespørsel |
||
Fraktberegning
US $40 av FedEx.
Ankommer om 3-5 dager
Ekspress:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis frakt på de første 0,5 kg for bestillinger over 150$, Overvekt belastes separat
Populære modeller
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
Lagt til i handlekurven!
Denne varen er lagt i handlekurven din.