TK28A65W,S5X

Produsentens varenummer:	TK28A65W,S5X
Produsent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Del av beskrivelse:	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Dataark:	TK28A65W,S5X Dataark
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand:	På lager
Skip fra:	Hong Kong
Forsendelsesmåte:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

BEMERKE: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK28A65W,S5X er tilgjengelig på chipnets.com. Vi selger kun ny og original del og tilbyr 1 års garantitid. Hvis du ønsker å vite mer om produktene eller bruke mer bedre pris, vennligst kontakt oss klikk på nettchatten eller send et tilbud til oss.

Alle Eelctronics-komponentene vil pakkes inn veldig trygt med antistatisk ESD-beskyttelse.

package

Spesifikasjon

Type	Beskrivelse
Serie	DTMOSIV
Pakke	Tube
Delstatus	Active
FET Type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Avløp til kildespenning (Vdss)	650 V
Strøm - kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C	27.6A (Ta)
Drivspenning (Maks Rds På, Min Rds På)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitet (Ciss) (maks) @ Vds	3000 pF @ 300 V
FET-funksjon	-
Effektdissipasjon (maks.)	45W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhetspakke	TO-220SIS
Pakke / Veske	TO-220-3 Full Pack

KJØPEALTERNATIVER

Lagerstatus: 4

Minimum: 1

Mengde	Enhetspris	Ext. Pris
Pris er ikke tilgjengelig, vennligst forespørsel

Fraktberegning

US $40 av FedEx.

Ankommer om 3-5 dager

Ekspress:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis frakt på de første 0,5 kg for bestillinger over 150$, Overvekt belastes separat

Populære modeller

	TK28N65W,S1F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK28A65W,S5X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK28V65W5,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK28N65W5,S1F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK28V65W,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Denne varen er lagt i handlekurven din.