HGTG18N120BN

BEMERKE: Rochester Electronics HGTG18N120BN er tilgjengelig på chipnets.com. Vi selger kun ny og original del og tilbyr 1 års garantitid. Hvis du ønsker å vite mer om produktene eller bruke mer bedre pris, vennligst kontakt oss klikk på nettchatten eller send et tilbud til oss.

Alle Eelctronics-komponentene vil pakkes inn veldig trygt med antistatisk ESD-beskyttelse.

package

Spesifikasjon

Type	Beskrivelse
Serie	-
Pakke	Bulk
Delstatus	Active
IGBT-type	NPT
Spenning - Collector Emitter Breakdown (Max)	1.2 V
Strøm - Samler (Ic) (maks.)	54 A
Strøm - Collector Pulsed (Icm)	165 A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 18A
Effekt - Maks	390 W
Bytte energi	800µJ (on), 1.8mJ (off)
Inngangstype	Standard
Gate Charge	165 nC
Td (på / av) @ 25 ° C	23ns/170ns
Testforhold	960V, 18A, 3Ohm, 15V
Omvendt gjenopprettingstid (trr)	-
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Pakke / Veske	TO-247-3
Leverandørens enhetspakke	TO-247-3

KJØPEALTERNATIVER

Lagerstatus: 737

Minimum: 1

Mengde	Enhetspris	Ext. Pris
Pris er ikke tilgjengelig, vennligst forespørsel

Fraktberegning

US $40 av FedEx.

Ankommer om 3-5 dager

Ekspress:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis frakt på de første 0,5 kg for bestillinger over 150$, Overvekt belastes separat

Populære modeller

	HGTG12N60C3D Rochester Electronics
	HGTG20N60B3 Rochester Electronics
	HGTG20N60A4D Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTG20N60B3D Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTG30N60B3_NL Rochester Electronics
	HGTG30N60B3 Rochester Electronics
	HGTG30N60A4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTG7N60A4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTG7N60A4D Rochester Electronics
	HGTG18N120BN Rochester Electronics

Denne varen er lagt i handlekurven din.