GT30J121(Q)

Produsentens varenummer:	GT30J121(Q)
Produsent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Del av beskrivelse:	IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Dataark:	GT30J121(Q) Dataark
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand:	På lager
Skip fra:	Hong Kong
Forsendelsesmåte:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

BEMERKE: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q) er tilgjengelig på chipnets.com. Vi selger kun ny og original del og tilbyr 1 års garantitid. Hvis du ønsker å vite mer om produktene eller bruke mer bedre pris, vennligst kontakt oss klikk på nettchatten eller send et tilbud til oss.

Alle Eelctronics-komponentene vil pakkes inn veldig trygt med antistatisk ESD-beskyttelse.

package

Spesifikasjon

Type	Beskrivelse
Serie	*
Pakke	Tube
Delstatus	Active
IGBT-type	-
Spenning - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Strøm - Samler (Ic) (maks.)	30 A
Strøm - Collector Pulsed (Icm)	60 A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 30A
Effekt - Maks	170 W
Bytte energi	1mJ (on), 800µJ (off)
Inngangstype	Standard
Gate Charge	-
Td (på / av) @ 25 ° C	90ns/300ns
Testforhold	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Omvendt gjenopprettingstid (trr)	-
Driftstemperatur	-
Monteringstype	Through Hole
Pakke / Veske	TO-3P-3, SC-65-3
Leverandørens enhetspakke	TO-3P(N)

KJØPEALTERNATIVER

Lagerstatus: Frakt samme dag

Minimum: 1

Mengde	Enhetspris	Ext. Pris
Pris er ikke tilgjengelig, vennligst forespørsel

Fraktberegning

US $40 av FedEx.

Ankommer om 3-5 dager

Ekspress:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis frakt på de første 0,5 kg for bestillinger over 150$, Overvekt belastes separat

Populære modeller

	GT30J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Denne varen er lagt i handlekurven din.