GT10J312(Q)

Produsentens varenummer:	GT10J312(Q)
Produsent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Del av beskrivelse:	IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Dataark:	GT10J312(Q) Dataark
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand:	På lager
Skip fra:	Hong Kong
Forsendelsesmåte:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

BEMERKE: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT10J312(Q) er tilgjengelig på chipnets.com. Vi selger kun ny og original del og tilbyr 1 års garantitid. Hvis du ønsker å vite mer om produktene eller bruke mer bedre pris, vennligst kontakt oss klikk på nettchatten eller send et tilbud til oss.

Alle Eelctronics-komponentene vil pakkes inn veldig trygt med antistatisk ESD-beskyttelse.

package

Spesifikasjon

Type	Beskrivelse
Serie	-
Pakke	Tube
Delstatus	Obsolete
IGBT-type	-
Spenning - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Strøm - Samler (Ic) (maks.)	10 A
Strøm - Collector Pulsed (Icm)	20 A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Effekt - Maks	60 W
Bytte energi	-
Inngangstype	Standard
Gate Charge	-
Td (på / av) @ 25 ° C	400ns/400ns
Testforhold	300V, 10A, 100Ohm, 15V
Omvendt gjenopprettingstid (trr)	200 ns
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstype	Surface Mount
Pakke / Veske	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørens enhetspakke	TO-220SM

KJØPEALTERNATIVER

Lagerstatus: Frakt samme dag

Minimum: 1

Mengde	Enhetspris	Ext. Pris
Pris er ikke tilgjengelig, vennligst forespørsel

Fraktberegning

US $40 av FedEx.

Ankommer om 3-5 dager

Ekspress:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis frakt på de første 0,5 kg for bestillinger over 150$, Overvekt belastes separat

Populære modeller

	GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT10J312(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Denne varen er lagt i handlekurven din.